6月7日晚間,中芯國際(00981.HK)在上交所披露首輪審核問詢函的回复。在本次回復中,中芯國際對外透露了不少重要信息,其中包括外界最為關注的公司14nm及下一代製程產品的具體信息。

14納米技術有營收純晶圓廠僅餘3家

招股書披露,中芯國際是全球領先的集成電路晶圓代工企業之一,主要為客戶提供0.35微米至14納米多種技術節點、不同工藝平台的集成電路晶圓代工及配套服務。本次公司擬發行不超過16.86億股新股,預計募資200億元人民幣,計劃分別投入中芯南方正在進行的12英寸芯片SN1項目(80億元),先進及成熟工藝研發項目儲備資金(40億元),補充流動資金(80億元)。

據悉,「12英寸芯片SN1項目」是中國大陸第一條14納米及以下先進工藝生產線,規劃月產能為3.5萬片,目前已建成月產能6,000片。

上交所在問詢函中提出,結合發行人14nm線寬技術晚於競爭對手的量產時間、發行人14nm製程產品的市場份額、盈利水平及性價比等情況,補充披露發行人14nm製程產品的競爭優劣勢,以及發行人是否存在提高14nm製程產品競爭水平的有效措施等。

對此,中芯國際表示,在集成電路晶圓代工領域內,全球範圍內有技術能力提供14納米技術節點的純晶圓代工廠有4家,而目前有實際營收的純晶圓代工廠僅剩3家。根據各公司的公開信息整理,台積電(TSM.US)於2015年實現16納米製程晶圓代工的量產,格羅方德於2015年實現14納米製程晶圓代工的量產,聯華電子於2017年實現14納米製程晶圓代工的量產。公司14納米製程的集成電路晶圓代工業務於2019年開始量產。

據介紹,目前14納米及以下更先進製程在手機應用處理器、基帶芯片、加密貨幣和高性能計算等追求高性能、低能耗、高集成度的領域內已逐漸成為主流技術。根據IHS統計預測,14納米及以下更先進製程的集成電路晶圓代工市場將保持快速增長,預計2024年全球市場規模將達386億美元,2018年至2024年的複合增長率將達19% 。

中芯國際14納米晶圓代工產能初步開始佈建,因此佔全球市場的份額相對較低;公司表示,第一代14納米FinFET技術已進入量產階段,技術處於國際領先水平,且具有一定性價比,目前已同眾多客戶開展合作,預測產能利用率可以穩定保持在較高水平。

關於14nm製程產品目前所處的生產階段,計劃何時大規模量產,量產後是否需要投入大量設備及研發支出問題。中芯國際表示,目前,公司14納米製程已於2019年第二季度進入風險量產階段,第四季度進入量產階段並開始貢獻有意義的營收,目前處於產能和產量穩步爬升階段。公司將根據市場及客戶需求情況,穩健、有計劃地推進14納米製程的產能擴張。隨著產能的持續擴張,預計未來將持續投入相應的研發及設備支出。

第二代FinFET技術功耗降低約60%

關於下一代製程的情況,中芯國際指出,在下一代技術節點的開發上,全球純晶圓代工廠僅剩台積電和中芯國際。隨著公司不斷加大研發投入、豐富研發團隊、加強研發實力、增強客戶合作,公司正不斷縮短與台積電之間的技術差距。公司第二代FinFET技術目前已進入客戶導入階段。利用公司先進FinFET技術在晶圓上所製成的芯片已應用於智能手機領域。

中芯國際還披露了外界頗為關注的下一代FinFET技術相關性能和功耗水平。數據顯示,與第一代FinFET技術中的14nm相比較,公司預計第二代FinFET技術有望在性能上提高約20%,功耗降低約60%。14納米及以下先進工藝主要應用於5G、人工智能、智能駕駛、高速運算等新興領域,未來發展前景廣闊。隨著相關應用領域持續發展,先進工藝的市場需求將持續上升,市場份額將不斷擴大,成為集成電路晶圓代工市場新的增長點。

同時,公司對募集資金投資項目的風險進行了補充披露:12英寸芯片SN1項目的總投資額為90.59億元美元,其中生產設備購置及安裝費達733,016萬美元。SN1項目達產後將會貢獻額外的先進製程收入,但同時帶來較高的折舊成本壓力。隨著14納米及下一代製程的產線投產、擴產,公司一定時期內會面臨較大的折舊壓力,該部分業務毛利率可能會低於公司平均水平,存在經濟效益不達預期,甚至產生較大額度虧損的風險。

據了解,此前中芯南方與中芯控股、大基金一期、大基金二期、上海集成電路基金一期及上海集成電路基金二期簽訂新合資合同及新增擴股協議。根據新協議約定,中芯南方的投資總額調整為90.59億美元,註冊資本調整為65億美元,各股東方需在原已完成出資的35億美元註冊資本基礎之上增資30億美元。公司認為,中芯南方本次增資完成後,發行人可以在大基金二期、上海集成電路基金二期的支持下,加快引進先進的製造工藝和產品,亦可減輕因先進製程產能擴充而產生的巨額現金投資。

此外,中芯國際還對研發費用率遠高於同行業可比公司的原因及合理性進行了說明。數據顯示,2019年台積電、中芯國際、聯華電子、華虹半導體(01347.HK)研發費用分別為211億元、47億元、27億元及4億元,相應佔營收比重分別為9% 、22%、8%和7%。

中芯國際闡述,為加強在先進製程方面的技術實力,公司不斷加大先進製程的研發投入,相繼實現了28納米HKC+工藝及第一代14納米FinFET工藝的研發和量產,第二代FinFET工藝的研發也在穩健進行中,並不斷拓展成熟工藝應用平台,因此公司研發費用率高於可比上市公司。

子公司虧損或對公司淨利潤產生較大影響

上交所在問詢函中提出,招股說明書披露,發行人重要子公司中芯深圳、中芯北方、中芯南方等處於虧損狀態,中芯控股、芯電上海、SMICBVI等部分子公司淨資產為負值。請發行人結合重要子公司的虧損情況,披露該等子公司持續經營風險及對發行人的影響。請發行人說明:主要子公司的資產負債結構及償債能力,部分子公司淨資產為負值的原因,是否存在債務履約風險,是否影響其持續經營能力。

中芯國際表示,重要子公司中芯南方、中芯北方及中芯深圳報告期各期均形成虧損,主要係資本支出大,折舊政策較為謹慎等因素所致。未來,隨著中芯南方等重要子公司的在建工程項目陸續達到預定可使用狀態,並轉入固定資產,一定時期內會面臨較大的折舊壓力,可能導致中芯南方等子公司扣非後淨利潤下滑,甚至出現扣非後淨利潤產生較大虧損的風險,可能會對發行人扣非後歸母淨利潤產生較大影響。

截至2019年12月31日,中芯上海、中芯北京、中芯天津、中芯深圳、中芯北方、中芯南方系公司集成電路製造業務重要的經營主體,形成一定的生產銷售規模或承擔核心技術研發,屬於重要控股子公司。

加大研發投入2019年政府補助收益大幅增加

中芯國際在招股說明書披露,2017-2019年,其獲得政府補助分別為102,370.18萬元、110,664.73萬元及203,926.91萬元,均計入其他收益,其中與資產相關的政府補助分別為38,935.36萬元、 45,456.63萬元及72,219.25萬元,與收益相關的政府補助分別為63,434.83萬元、65,208.11萬元及131,707.65萬元。

上交所在問詢函中提出,讓中芯國際說明2019年政府補助收益大幅增加的原因及合理性。

中芯國際表示,2019年政府補助收益大幅增加,主要是因為2019年公司加大了對於先進製程研發的投入,得到了各級政府的進一步支持。一方面直接計入當期損益的財政獎勵金增加了約22,828.69萬元,另一方面,分攤計入其他收益的政府補助增加了約72,655.76萬元。發行人於2019年分攤計入其他收益的政府補助項目主要有28納米強化技術開發及14nm及下一代技術平台建設與晶圓製造、14nmFinFET工藝研發項目、基於28nm技術平台的特色工藝開發與晶圓生產項目等項目。

該信息由智通財經提供。

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